H11AA1M
Kuvaus
Tekniset parametrit
Liittyvät tuotteet:
|
Valmistaja Osa |
H11AA1M |
|
Kuvaus |
OPTOERITIN, VALONTRANSISTORI ULOS |
|
Stock |
80000 |
|
Tuotteen tila |
Aktiivinen |
|
Jännite - Eristys |
5000 Vrms |
|
Nykyinen siirtosuhde (min) |
20% @ 10mA |
|
Nykyinen siirtosuhde (maks.) |
400 % @ 10mA |
|
Käynnistys / Sammutusaika (tyyppi) |
10µs,10µs(最大) |
|
Syöttötyyppi |
AC, DC |
|
Lähtötyyppi |
Transistori AC/DC |
|
Jännite - lähtö (maks.) |
80V |
|
Nykyinen - Lähtö / kanava |
- |
|
Jännite – eteenpäin (Vf) (tyyppi) |
- |
|
Virta - DC eteenpäin (jos) (maks.) |
60 mA |
|
Käyttölämpötila |
-55 astetta ~ 100 astetta |
|
Paketti / kotelo |
DIP6 (7,62 mm) |
|
Paketti |
Putki |
Sovelluss:
• AC Line Monitor
• Tuntematon napaisuus DC-anturi
• Puhelinlinjan käyttöliittymä
Yleinen kuvaus:
H11AA1M- ja H11AA4M-laitteet koostuvat kahdesta gallium-arsenidi-infrapunadiodista, jotka on kytketty käänteisesti rinnakkain ja ohjaavat yhden piin fototransistorilähtöä.
Suositut Tagit: h11aa1m, Kiina h11aa1m valmistajat, toimittajat
Lähetä kysely
Saatat myös pitää
