CNY17-1M
Kuvaus
Tekniset parametrit
Liittyvät tuotteet:
|
Valmistaja Osa |
CNY17-1M |
|
Kuvaus |
OPTOERITIN, VALONTRANSISTORI ULOS |
|
Varasto |
80000 |
|
Tuotteen tila |
Aktiivinen |
|
Jännite - Eristys |
5000 Vrms |
|
Nykyinen siirtosuhde (min) |
40 % @ 10mA |
|
Nykyinen siirtosuhde (maks.) |
80 % @ 10mA |
|
Käynnistys / Sammutusaika (tyyppi) |
- |
|
Syöttötyyppi |
TASAVIRTA |
|
Lähtötyyppi |
Transistori DC |
|
Jännite - lähtö (maks.) |
70V |
|
Nykyinen - Lähtö / kanava |
150mA |
|
Jännite – eteenpäin (Vf) (tyyppi) |
1.45V |
|
Virta - DC eteenpäin (jos) (maks.) |
- |
|
Käyttölämpötila |
-55-C ~ 100-C |
|
Paketti / kotelo |
DIP6 (7,62 mm) |
|
Paketti |
Putki |
Sovelluss:
• Virtalähteen säätimet
• Digitaaliset logiikkatulot
• Mikroprosessoritulot
• Laiteanturijärjestelmät
• Teolliset ohjauslaitteet
Yleinen kuvaus:
CNY17XM-, CNY17FXM- ja MOC8106M-laitteet koostuvat galliumarsenidi-infrapunadiodista, joka on yhdistetty NPN-valotransistoriin kaksoislinjassa.
Suositut Tagit: cny17-1m, Kiina cny17-1m valmistajat, toimittajat
Lähetä kysely
Saatat myös pitää
